[发明专利]重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法在审
| 申请号： | 201510905793.6 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105489478A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张志勤 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，涉及外延层的生长方法技术领域。所述方法包括如下步骤：固定衬底外延生长时单片外延生长系统的温度和TCS流量；在衬底外延生长时，CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工艺；在外延层生长时，改变单片外延生长系统中的VENT压力，使VENT压力大于或小于系统的chamber压力，调节外延层过渡区的陡峭程度。所述方法在不改变TCS流量的情况下，通过调整VENT管路和腔体之间的压力匹配，影响外延层生长速率，从而影响和控制衬底至外延层的过渡区长度，过渡区更陡峭，可以显著提高外延层边缘电阻率数值。 | ||
| 搜索关键词： | ph 衬底 薄层 外延 过渡 调控 方法 | ||
【主权项】：
一种重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于包括如下步骤：1）固定衬底外延生长时单片外延生长系统的温度和TCS流量；2）在衬底外延生长时，CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工艺；3）在外延层生长时，改变单片外延生长系统中的VENT压力，使VENT压力大于或小于系统的chamber 压力，调节外延层过渡区的陡峭程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
