[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510906921.9 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106856172B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部，所述鳍部的材料为Ge、SiGe或Ⅲ‑Ⅴ元素；形成横跨部分鳍部侧壁和顶部表面的伪栅；形成覆盖所述半导体衬底、鳍部和伪栅的介质层，所述介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在所述凹槽的侧壁和底部表面形成含氧离子的高K介质层；对所述含氧离子的高K介质层进行退火，使得含氧离子的高K介质层中的氧离子扩散至凹槽底部的鳍部中，氧离子与鳍部材料反应形成界面层；退火后，在所述高K介质层上形成填充凹槽的金属栅极。本发明的方法改善了鳍式场效应晶体管的高K介质层与鳍部之间的界面特性。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部，所述鳍部的材料为Ge、SiGe或Ⅲ-Ⅴ元素；/n形成横跨部分鳍部侧壁和顶部表面的伪栅；/n形成覆盖所述半导体衬底、鳍部和伪栅的介质层，所述介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；/n去除所述伪栅，形成凹槽；/n在所述凹槽的侧壁和底部表面形成含氧离子的高K介质层；/n对所述含氧离子的高K介质层进行退火，使得含氧离子的高K介质层中的氧离子扩散至凹槽底部的鳍部中，氧离子与鳍部材料反应形成界面层；/n退火后，在所述高K介质层上形成填充凹槽的金属栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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