[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510906938.4 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106856191B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导衬底表面形成具有开口的掩膜层；沿所述开口刻蚀半导体衬底，形成第一凹槽；形成位于第一凹槽和开口内的隔离层，所述隔离层表面与掩膜层表面齐平；去除掩膜层，形成第二凹槽；在第二凹槽内形成表面低于隔离层表面的第一锗硅层；在第一锗硅层表面形成填充满第二凹槽且覆盖隔离层的无定形锗硅层；采用固相外延生长工艺，使第一锗硅层表面的部分无定形锗硅层转变为第三锗硅层；以隔离层作为停止层，对无定形锗硅层和第三锗硅层进行平坦化；回刻蚀所述隔离层，使隔离层表面低于第三锗硅层表面。上述方法可以提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体 衬底表面形成具有开口的掩膜层，暴露出半导体衬底的部分表面；沿所述开口刻蚀半导体衬底，在半导体衬底内形成第一凹槽；形成位于第一凹槽和开口内的隔离层，所述隔离层表面与掩膜层表面齐平；去除所述掩膜层，形成第二凹槽；在第二凹槽内形成第一锗硅层，所述第一锗硅层表面低于隔离层表面；在第一锗硅层表面形成填充满第二凹槽且覆盖隔离层的无定形锗硅层；采用固相外延生长工艺，使第一锗硅层表面的部分无定形锗硅层转变为第三锗硅层，所述第三锗硅层表面高于隔离层表面；以隔离层作为停止层，对无定形锗硅层和第三锗硅层进行平坦化；回刻蚀所述隔离层，使隔离层表面低于第三锗硅层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
