[发明专利]一种腔体温度检测方法有效
申请号: | 201510908262.2 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN106856182B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 夏禹 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种腔体温度检测方法,包括:提供一测试晶圆;对测试晶圆上均匀分布的各测试结构的阻值进行测量,记为前值;对测试晶圆进行热处理;热处理结束后对各测试结构的阻值进行测量,记为后值;将前值和后值相减,获得阻值差,若阻值差均小于设定值,则腔体整体温度符合生产要求;若阻值差均大于设定值,则腔体的整体温度过高;若部分阻值差大于设定值,则腔体的局部温度过高。本发明采用测试晶圆上的测试结构对晶圆上的各点进行温度检测,该温度直接体现晶圆本身所受到的温度;其次,因为测试结构布满整片晶圆,所以局部温度过热同样可以检测出;因此,本发明对温度的控制更为全面、更到位,可大大提高制程中的产品良率,同时节约成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 体温 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种腔体温度检测方法,其特征在于,所述腔体温度检测方法至少包括:提供一测试晶圆,所述测试晶圆上均匀分布有多个测试结构,其中,所述测试结构包括2个金属接触端以及连接于2个金属接触端之间的金属线,所述金属线的线宽和所述金属线之间的间距均设定为设计规则所规定的最小尺寸;对所述测试晶圆上的各测试结构的阻值进行测量,分别记为各测试结构的前值;将所述测试晶圆放入待测温腔体中进行热处理;热处理结束后取出所述测试晶圆,并对各测试结构的阻值进行测量,分别记为各测试结构的后值;分别将各测试结构的前值和后值相减,获得各测试结构的阻值差,若各测试结构的阻值差均小于设定值,则所述待测温腔体的整体温度符合生产要求;若各测试结构的阻值差均大于所述设定值,则所述待测温腔体的整体温度过高;若部分测试结构的阻值差大于所述设定值,则所述待测温腔体的局部温度过高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造