[发明专利]具有环境温、湿度自补偿能力的In2O3基热线型半导体气体传感器有效
| 申请号： | 201510908580.9 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105301064B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 彭溦;詹自力;陈克城;闫贺艳;陈志强 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 郑州豫开专利代理事务所(普通合伙) 41131 | 代理人： | 张智伟 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于气体传感器技术领域，具体公开一种具有环境温、湿度自补偿能力的In2O3基热线型半导体气体传感器。该气体传感器包括敏感元件和补偿元件，其特别之处在于：敏感元件的敏感材料为添加贵金属的In2O3，补偿元件的补偿材料为添加贵金属和掺杂X的In2O3，其中所述X为Zn、Cu、Si、Al、Ca、Mg中的至少一种，敏感材料和补偿材料中的贵金属为Pd、Pt中的至少一种。本发明以添加贵金属的In2O3作为敏感材料，通过在In2O3中掺杂增加材料的电阻率作为补偿材料，使补偿材料和敏感材料在组成、结构和颜色等一致，到达敏感材料和补偿材料具有相同的吸湿和传热性能，实现对环境温湿度变化的自补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 环境 湿度 补偿 能力 in sub 线型 半导体 气体 传感器 | ||
【主权项】：
1.具有环境温、湿度自补偿能力的In2O3基热线型半导体气体传感器，该气体传感器包括敏感元件和补偿元件，其特征在于：敏感元件的敏感材料为添加贵金属的In2O3，补偿元件的补偿材料为添加贵金属和掺杂X的In2O3，其中所述X为Zn、Cu、Si、Al、Ca、Mg中的至少一种，敏感材料和补偿材料中的贵金属为Pd、Pt中的至少一种；以占敏感材料的摩尔百分比计，贵金属的添加量为0.1‑1.5mol%，余量为In2O3；以占补偿材料的摩尔百分比计，X的掺杂量为0.01‑20mol%，贵金属的添加量为0.1‑1.5mol%，余量为In2O3。
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