[发明专利]一种单晶炉用电阻加热器及使用该电阻加热器制备硅单晶的方法有效
| 申请号： | 201510909250.1 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN106868584B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 方峰;王学锋;邓德辉;高朝阳;曾泽红;孙媛 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/18 | 分类号： | C30B15/18;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶炉用电阻加热器及使用该电阻加热器拉晶的方法。该电阻加热器包括在轴线方向上布置了交互且均匀开槽的圆筒状石墨加热器，沿着该石墨加热器的圆周方向设有360°环形空隙结构，在该石墨加热器的外部设有一增强发热体，所述增强发热体位于从石墨加热器的上端面起至总高度的1/4‑1/5处的位置上。使用该电阻加热器拉晶的方法是：将所述电阻加热器应用于单晶炉，圆筒状石墨加热器围绕坩埚，所述增强发热体保持在高于硅熔体液面位置的上方，通过多晶硅原料在石英坩埚中熔化、熔体稳定、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却的过程，拉制出低氧含量的单晶硅棒。使用本发明能够获得较低氧含量的硅单晶棒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶炉 用电 加热器 使用 电阻 制备 硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶炉用电阻加热器，包括在轴线方向上布置了交互且均匀开槽的圆筒状石墨加热器，其特征在于，沿着该石墨加热器的圆周方向设有360°环形空隙结构，该360°环形空隙结构高于晶体生长时硅熔体液面位置，且位于从所述石墨加热器的上端面起至总高度的1/4‑1/6处；在该石墨加热器的外部设有一增强发热体，所述增强体位于从石墨加热器的上端面起至总高度的1/4‑1/5处的位置上。
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