[发明专利]用于软电子电离的离子源和有关系统和方法有效
| 申请号： | 201510909287.4 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105702556B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | M·王 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/16 | 分类号： | H01J49/16 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种离子源配置为用于软电子电离并且产生低电子能量却高强度的电子射束。所述离子源包括：电子源，其产生所述电子射束并且将其发送到电离腔室中。所述电子射束在所述电离腔室中与样品材料交互，以产生可以发送到下游设备的离子射束。所述电子源配置为用于在所述电离腔室的上游生成虚拟阴极，其增强所述电子射束的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 电离 离子源 有关 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子源，其包括：主体，其环绕电离腔室；电子提取器，其配置为用于将电子加速到所述电离腔室中；电子源，其处于所述电离腔室的外部，并且包括电子排斥器、热离子阴极以及所述热离子阴极与所述电子提取器之间的电子透镜；以及电压源，其配置为用于将相应电压施加到所述电子排斥器、所述热离子阴极、所述电子透镜以及所述电子提取器，以用于对于以下操作有效：从所述热离子阴极发射电子；初始地朝向所述电离腔室加速所述电子；在所述电子透镜处生成电势谷，以用于对于以下操作有效：减速所述初始地加速的电子，并且在所述电子透镜处形成包括减速后的电子的虚拟阴极；以及将先前所述减速的电子作为电子射束从所述虚拟阴极加速到所述电离腔室中。
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