[发明专利]一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法

摘要

本发明公开了一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法，特点是采用高纯度的Ge20Sb15Se65玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气体，采用镀金硅片衬底材料进行表面沉积的步骤；将衬底分别放入去离子水与无水乙醇中用超声清洗的步骤；控制高温区温度450~550℃，低温区300~400℃，氩气流量130~150sccm及真空度1~5torr的步骤；最后沉积90~120分钟制得Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的步骤，优点是工艺可控性强，生产成本低，重复性好，Ge‑Sb‑Se纳米线均匀致密。

主权项

一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法，其特征在于：采用高纯度的Ge20Sb15Se65玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气体，采用镀金硅片衬底材料进行表面沉积，具体步骤如下：(1)采用硅片作为衬底，先放在去离子水中用超声清洗20分钟，再放入无水乙醇中用超声清洗20分钟，最后用高纯氮气吹干；(2)将硅片放入镀金设备中进行镀金，镀金厚度为100～200nm；(3)称量Ge20Sb15Se65原料0.3～0.5g放入石英坩埚中，并将坩埚置于水平管式炉的高温区，另外将镀金衬底置于低温区；其中所述的高温区的Ge‑Sb‑Se原料处在气流的上游，所述的低温区的镀金硅片处在气流的下游；所述的高温区与所述的低温区之间的距离为10～20cm；(4)将水平管式炉抽真空，待管内真空度达到0.02～0.03torr时，向水平管式炉内通入氩气，氩气流量为100～150sccm，10分钟后开始加热，待温度达到设定温度后保持90～120分钟，管内真空度保持在1～5torr，所述的高温区的设定温度为450～550℃，所述的低温区的设定温度为300～400℃；(5)沉积结束后，让炉内自然降温，待温度降到70℃时，取出分布有Ge‑Sb‑Se纳米线的镀金衬底，即得到Ge‑Sb‑Se硫系纳米线。