[发明专利]一种透明SERS衬底及微流控芯片、制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种透明SERS衬底及微流控芯片、制备方法和应用，在AAO模板的表面溅射或热蒸发一层Ag或Au，Ag或Au颗粒聚集在暴露出的AAO模板的锥形孔的孔壁上端面，形成纳米柱阵列；同时AAO模板的锥形孔的内壁也获得了纳米颗粒，制得透明SERS衬底。本发明的透明SERS衬底与微流控技术进行联用，使得具有SERS活性的一面直接与微流控芯片储液池中的液体接触产生SERS信号这样就可以减少溶液本身带来的影响；另外，由于透明SERS衬底非常薄，只有几十个微米，因此很容易就能把激光斑点聚焦在SERS的活性点，克服把不透明的衬底放置在下面所造成不宜聚焦的缺陷。另外，因为是封装微流控顶部的SERS衬底是透明的，还可以利用它在显微镜下同时进行其他光学信号如荧光的测量。

主权项

1.一种利用透明SERS衬底制备微流控芯片的方法，其特征在于，首先制备透明SERS衬底：包括以下步骤：(1)制备表面带有尖端纳米结构的透明AAO模板，透明AAO模板的表面尖端纳米结构形成锥形孔状；(11)将抛光后的高纯铝片在0.2～0.4mol/L的草酸溶液中用30～50V直流电压阳极氧化5～7h，然后在50～70℃的6wt﹪磷酸和1.8wt﹪铬酸的混和溶液中浸泡8～10h，除去一次阳极氧化在高纯铝片表面获得的不规则孔的氧化铝膜；(12)把步骤(11)制得的AAO模板的铝基底在0.2～0.4mol/L的草酸溶液中用30～50V直流电压阳极氧化30～50s，接着把所得到的模板在30～50℃下5％的磷酸溶液中扩孔1～3min,重复上述氧化和扩孔过程多次；(13)将步骤(12)中所得到的表面带有尖端纳米结构的AAO模板在原有的氧化条件下继续阳极氧化8～12h，去模板背部的铝片得到了透明AAO模板；(2)在AAO模板的表面溅射或热蒸发一层Ag或Au，溅射距离为1～3cm，溅射电流10～30mA，溅射时间为5～30min，Ag或Au颗粒聚集在暴露出的AAO模板的锥形孔的孔壁上端面，形成纳米柱阵列；同时AAO模板的锥形孔的内壁也获得了纳米颗粒，制得透明SERS衬底；然后在芯片衬底上刻蚀储液池及微通道，所述储液池暴露在衬底的顶部，然后把透明SERS衬底上的贵金属纳米阵列朝下覆盖密封在储液池上，制得具有透明SERS衬底微流控芯片。