[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件，其包括在衬底上方的缓冲层、沟道层、阻挡层和栅极电极，栅极电极布置在其间有栅极绝缘膜的第一开口中，第一开口穿过阻挡层到达沟道层的中间。将要具有沟道的、在第二开口两侧的第一区域中的二维电子气的浓度被控制为低于在第一区域端部和源极或漏极电极之间的第二区域中的二维电子气的浓度。因此降低了第一区域中的二维电子气的浓度，从而防止了极化电荷的导带增强效应的降低。这防止了阈值电位的降低，从而提高了常闭的可操作性。

主权项

一种半导体器件，包括：被提供在衬底上方的第一氮化物半导体层；被提供在所述第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层；被提供在所述第二氮化物半导体层上方的第三氮化物半导体层；穿过所述第三氮化物半导体层而到达所述第二氮化物半导体层的中间的第一开口；被布置在所述第一开口中的栅极电极，在所述第一开口和所述栅极电极之间有栅极绝缘膜；以及被分别提供在所述栅极电极的两侧上的所述第三氮化物半导体层上方的第一电极和第二电极，其中，所述第二氮化物半导体层具有大于所述第一氮化物半导体层和所述第三氮化物半导体层中的每一个的电子亲和力，其中，所述第一氮化物半导体层具有大于所述第三氮化物半导体层的电子亲和力，其中，在所述第一开口的两侧上布置有第一区域，以及其中，靠近所述第一电极一侧上的所述第一区域中的二维电子气的浓度低于在靠近所述第一电极一侧上的第一区域的端部和所述第一电极之间的、所述第二区域中的二维电子气的浓度。