[发明专利]监测等离子体工艺制程的装置和方法有效
| 申请号： | 201510910234.4 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN106876236B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黄智林;王红军 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种监测等离子体工艺制程的方法，将一基片放置在一等离子体处理腔室内进行等离子体处理，所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪；等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号，所述背景光信号中包括波长已知的参考光信号；启动所述入射光源向所述基片发射入射光信号；启动所述光谱仪接收经基片反射后的入射光信号及所述背景光信号，利用所述参考光信号实现对所述光谱仪的校准；利用校准后的光谱仪对读取的入射光信号的波长进行校准，得到准确的入射光信号波长；利用该准确的入射光信号波长计算基片的处理速率，实现对基片处理工艺的监测。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 等离子体 工艺 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监测等离子体工艺制程的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供一等离子体处理装置，所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪；将基片放置在所述等离子体处理腔室内进行等离子体处理，等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号，所述背景光信号中包括至少一波长已知的参考光信号；启动所述入射光源向所述基片发射入射光信号；启动所述光谱仪接收经基片反射后的入射光信号及所述背景光信号，利用所述参考光信号实现对所述光谱仪的校准；利用校准后的光谱仪对读取的入射光信号的波长进行校准，得到准确的入射光信号波长；利用该准确的入射光信号波长计算基片的处理速率，实现对基片处理工艺的监测。
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