[发明专利]一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法

摘要

一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明工艺特点是：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。本发明通过在外延生长结构，设置不同材料的第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。

主权项

一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：1）采用MOCVD在外延衬底上逐渐形成缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、电流阻挡层、第一型欧姆接触层、第一型导电层、有源层、限制层、第二型导电层和第二型欧姆接触层；2）经过掩膜、光刻，在第二型欧姆接触层上定义出第一电极台面和切割道；3）采用ICP刻蚀出第一电极台面和切割道，裸露出第一型欧姆接触层；4）经过掩膜、光刻，在第二型欧姆接触层上定义出透明导电层区域；且在此区域形成透明导电层，在透明导电层上制作金属反射镜层；5）经过掩膜、光刻，同时在第一型欧姆接触层上制作第一电极，在金属反射镜层上制作第二电极；6）在芯片正面、侧面、第一电极与外延层之间分别蒸镀SiO₂，形成芯片保护层和电极隔离层；7）采用隐形切割、劈裂将倒装蓝绿发光二极管芯片分离成独立的发光二极管器件；其特征在于：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；在步骤3）中，对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。