[发明专利]一种有背镀金属层发光二极管晶元的切割方法在审
| 申请号： | 201510912694.0 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105405807A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 冯亚萍;李志聪;张应;金豫浙;薛生杰;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种有背镀金属层发光二极管晶元的切割方法，属于半导体技术领域，本发明于基片同侧制出各发光单元的P焊线电极和N焊线电极，在与P焊线电极和N焊线电极同侧的相邻的发光单元之间制作出正面切割道，经减薄处理后，在与P焊线电极和N焊线电极背对的一侧相邻的发光单元之间制作出反面切割道，所述反面切割道与正面切割道的位置完全对应，激光光束仅能在背面切割道区域透过，激光光束透过背面切割道聚焦至透明基板进行隐形切割，经对晶元进行裂片扩张，取得独立的发光二极管。超短Ps激光束可以从背面切割道的位置聚焦到衬底内部对整个衬底进行切割，不易破片，大大减少了先切割再制作薄膜带来的管芯损失，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镀金 发光二极管 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种有背镀金属层发光二极管晶元的切割方法，在透明基板上外延形成基片，于基片同侧制出各发光单元的P焊线电极和N焊线电极，其特征在于：在与P焊线电极和N焊线电极同侧的相邻的发光单元之间制作出正面切割道，经减薄处理后，在与P焊线电极和N焊线电极背对的一侧相邻的发光单元之间制作出背面切割道，所述背面切割道与正面切割道的位置完全对应；与P焊线电极和N焊线电极背对的一侧面中，激光光束仅能在背面切割道区域透过，激光光束透过背面切割道聚焦至透明基板进行隐形切割，然后对晶元进行裂片扩张，取得独立的发光二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
