[发明专利]一种生成铝离子束的离子源在审
申请号: | 201510912748.3 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN105448630A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 易文杰;彭立波;孙雪平;罗臻;袁卫华;钟新华 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/317 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 周长清 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种生成铝离子束的离子源,包括:弧室,用于在内部生成等离子体的容器兼作为阳极;所述弧室内导入含氟可电离气体;阴极结构件,设置在弧室内的一侧,与弧室实现电绝缘并且向弧室内放出热电子;反射极结构件,设置在弧室内与阴极结构件相对的一侧,用来反射弧室内的电子;磁铁,用来在弧室内产生磁场。本发明具有结构简单紧凑、提高电离效率、延长热阴极灯丝使用寿命等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 生成 离子束 离子源 | ||
【主权项】:
一种生成铝离子束的离子源,其特征在于,包括:弧室(1),用于在内部生成等离子体(5)的容器兼作为阳极;所述弧室(1)内导入含氟可电离气体(7);阴极结构件(2),设置在弧室(1)内的一侧,与弧室(1)实现电绝缘并且向弧室(1)内放出热电子;反射极结构件(3),设置在弧室(1)内与阴极结构件(2)相对的一侧,用来反射弧室(1)内的电子;磁铁(11),用来在弧室(1)内产生磁场(12)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所,未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510912748.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种腔室环境的控制方法
- 下一篇:一种石墨烯灭弧的高压熔断器及其制作方法