[发明专利]磁控溅射装置及磁控溅射方法在审
| 申请号： | 201510912832.5 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105543792A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈长平;佘鹏程;胡凡;陈庆广;毛朝斌;张赛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射装置及磁控溅射方法，磁控溅射装置包括：用于放置基片的基片台；与基片台相对布置的靶，用于放置向基片进行溅射的靶材；反应腔体，基片台和靶均设于反应腔体内；还包括：与靶对应的角度调节装置，用于调节对应的靶相对于基片台的角度。磁控溅射方法包括以下步骤：（1）清洗反应腔和基片，安装靶材；（2）调节靶相对于基片的角度、靶和基片之间的距离；（3）将反应腔体抽真空；（4）进行预溅射，同时开启基片台的旋转和摆动功能；（5）进行磁控溅射。该装置可用于高均匀性、良好重复性的大面积薄膜沉积，且可实现多层薄膜的连续溅射沉积；该方法可节约镀膜时间并提高镀膜效率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射装置，包括：用于放置基片（105）的基片台（102）；与所述基片台（102）相对布置的靶（104），用于放置向所述基片（105）进行溅射的靶材；反应腔体（101），所述基片台（102）和所述靶（104）均设于所述反应腔体（101）内；其特征在于，还包括：与所述靶（104）连接的角度调节装置，用于调节靶（104）相对于基片台（102）的角度。
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