[发明专利]一种提高大口径离子源离子束流均匀性的方法有效

专利信息
申请号: 201510915124.7 申请日: 2015-12-11
公开(公告)号: CN105575748B 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 张赛;佘鹏程;陈特超;陈庆广 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: H01J37/02 分类号: H01J37/02;H01J37/04;H01J37/317
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 代理人: 周长清
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种提高大口径离子源离子束流均匀性的方法,其步骤为S1设置具有引出孔的栅网;将栅网安装在离子源放电室束流出口位置,对其束流密度均匀性进行测试,并绘出束流密度分布图A;S2调整栅网上引出孔的分布;根据束流密度分布图A,调整栅网上引出孔的分布;将调整引出孔分布后的栅网安装在同一个离子源放电室相同束流出口位置,对其束流密度均匀性进行测试,并绘出束流密度分布图B;S3二次调整栅网上引出孔的分布;根据束流密度分布图B,再细微调整栅网上引出孔的分布;S4安装栅网;安装最终的栅网,离子源离子束均匀性即满足要求。本发明具有原理简单、操作简便、能够降低成本等优点。
搜索关键词: 一种 提高 口径 离子源 离子束 均匀 方法
【主权项】:
一种提高大口径离子源离子束流均匀性的方法,所述离子源应用于离子束刻蚀机,其特征在于,步骤为:S1:设置具有引出孔的栅网;将栅网安装在离子源放电室束流出口位置,对其束流密度均匀性进行测试,并绘出束流密度分布图A;S2:调整栅网上引出孔的分布;根据束流密度分布图A,调整栅网上引出孔的分布;将调整引出孔分布后的栅网安装在同一个离子源放电室相同束流出口位置,对其束流密度均匀性进行测试,并绘出束流密度分布图B;S3:二次调整栅网上引出孔的分布;根据束流密度分布图B,再细微调整栅网上引出孔的分布;S4:安装栅网;安装最终的栅网,离子源离子束均匀性即满足要求。
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