[发明专利]半导体表面钝化无铅玻璃粉及其制备方法

摘要

本发明选用无铅系列玻璃材料，提供一种半导体表面钝化无铅玻璃粉及其制备方法，其主要用于台面结构、高电压、大功率的半导体芯片的钝化保护，其组分质量百分比含量为40～60%Bi2O3、10～30%SiO2、5～17%ZnO、1～10%Al2O3、1～5%BaO、5～18%CaF2和Ta2O53～10%。本发明制得的钝化无铅玻璃粉具有较低的烧结温度和良好的抗折强度，与半导体芯片材料膨胀系数匹配，具有良好化学稳定性，以及优异的电绝缘性能，能提高钝化保护性能，达到现有含铅系玻璃粉性能指标。

主权项

1.半导体表面钝化无铅玻璃粉，其特征在于玻璃粉的组分由Bi2O3、SiO2、ZnO、Al2O3、BaO、CaF2和Ta2O5组成，各组份质量百分含量40～60%Bi2O3、10～30% SiO2、5～17% ZnO、1～10%Al2O3、1～5%BaO、5～18%CaF2和3～10% Ta2O5，按配方配比配制加工而成，各项性能指标达到国标GB1970-94关于半导体钝化玻璃材料标准，可以替代现有含铅半导体钝化玻璃粉使用。