[发明专利]一种全局像元非线性补偿结构有效
申请号: | 201510915705.0 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105554421B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 何学红;董林妹;张远 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种全局像元非线性补偿结构,全局像元包括像元电路模块和模拟数字转换模块,模拟数字转换模块包括具有正输入端Vin1与像元电路模块连接和负输入端Vin2接收参考电压Vramp的比较器,该非线性补偿结构补偿电路模块;补偿电路模块连接在参考电压Vramp信号与比较器负输入端Vin2之间,用来补偿像元电路模块内部电路引入的非线性。因此,本发明在实现补偿全局像元的非线性的同时,可以提高全局像元的动态范围,且补偿非线性的同时优化时序,引入尽量小的功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 全局 非线性 补偿 结构 | ||
【主权项】:
1.一种全局像元非线性补偿结构,全局像元包括像元电路模块和模拟数字转换模块;所述像元电路模块包括第一级源跟随电路和第二级源跟随电路,所述第一级源跟随电路由NMOS晶体管M2与尾电流I0组成,所述第二级源跟随电路由NMOS晶体管M6与尾电流I2组成;所述尾电流源I2连接在所述比较器正输入端Vin1与接地端之间,所述尾电流源I0连接在所述NMOS晶体管M2源极和接地端之间;所述模拟数字转换模块包括比较器,所述比较器的正输入端Vin1与像元电路模块连接,所述比较器的负输入端Vin2接收参考电压Vramp;其特征在于,所述非线性补偿结构包括:/n补偿电路模块,其连接在参考电压Vramp信号与所述比较器负输入端Vin2之间,用来补偿所述像元电路模块内部电路引入的非线性所述补偿电路模块包括第三级源跟随电路和第四级源跟随电路;所述第三级源跟随电路由NMOS晶体管M8与尾电流I1组成,所述第四级源跟随电路由NMOS晶体管M10与尾电流I3组成;其中,所述Vramp信号经过所述NMOS晶体管M8与尾电流I1组成的第三级源跟随器,再经过所述NMOS晶体管M10与所述尾电流I3组成的第四级源跟随器后接至比较器的负输入端Vin2;其中,参考电压Vramp具有固定的斜率,所述模拟数字转换模块为积分型模拟数字转换器。/n
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