[发明专利]一种晶圆背面对准的工艺集成方法在审
| 申请号： | 201510915731.3 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105502284A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 袁超 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆背面对准的工艺集成方法，包括在衬底正面沉积CMP阻挡层，在衬底中刻蚀形成用作对准标记的深槽，沉积填充材料，将深槽填满并平坦化，去除CMP阻挡层，然后继续完成衬底正面剩余的其它工艺，进行衬底背面研磨，将深槽中的填充材料露出，在衬底背面沉积掩蔽层，并采用光刻、刻蚀工艺完成衬底背面的图形化；本发明无需增加双面对准光刻机，即可利用同一对准标记进行晶圆背面与正面的对准，使得MEMS工艺与CMOS工艺更加兼容，并可降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 对准 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆背面对准的工艺集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一衬底，在衬底正面沉积CMP阻挡层；步骤S02：在衬底中刻蚀形成用作对准标记的深槽；步骤S03：沉积填充材料，将深槽填满并平坦化；步骤S04：去除CMP阻挡层，然后继续完成衬底正面剩余的其它工艺；步骤S05：进行衬底背面研磨，将深槽中的填充材料露出；步骤S06：在衬底背面沉积掩蔽层，并采用光刻、刻蚀工艺完成衬底背面的图形化。
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