[发明专利]带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510916099.4 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105336852A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 马海力;冯洁;陈小荣 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪(Hf)作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有一定整流比的氧化物RRAM存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 整流 效应 rram 存储 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构，其特征在于：该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上。
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