[发明专利]一种利用多次充电以控制软启动时间的方法

摘要

本发明公开了一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。本发明能够保证后续模块的运算时间，从而使得后续模块作出精确判断，从而提高了系统的可靠性。

主权项

1.一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的；所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的斜坡信号输出端与所述斜坡信号整形电路的斜坡信号输入端连接，所述反馈控制电路的反馈信号端与所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的反馈信号端连接，所述斜坡信号整形电路的信号输出端与所述软启动控制信号发生电路的信号输入端连接，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的信号输入端接入复位信号，所述软启动控制信号发生电路的信号输出端作为整个电路模块的输出控制信号端；所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路包括三个N型场效应管和三个P型场效应管，第一所述N型场效应管的漏极同时与第一所述P型场效应管的源极、第二所述P型场效应管的漏极和第二所述N型场效应管的漏极连接，第一所述N型场效应管的源极同时与第一所述P型场效应管的漏极和第三所述N型场效应管的栅极连接，第二所述P型场效应管的源极与第三所述P型场效应管的漏极连接，第三所述P型场效应管的源极、第三所述P型场效应管的衬底极、第二所述P型场效应管的衬底极和第一所述P型场效应管的衬底极均接入电源，第一所述N型场效应管的衬底极、第三所述N型场效应管的源极、第三所述N型场效应管的漏极、第三所述N型场效应管的衬底极、第二所述N型场效应管的源极和第二所述N型场效应管的衬底极均接地；所述斜坡信号整形电路包括四个反相器Ⅰ和一个与非门Ⅰ，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ分别接在所述与非门Ⅰ的两个输入端上，第三所述反相器Ⅰ和第四所述反相器Ⅰ串联后接在所述与非门Ⅰ的输出端上，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ均由一个NMOS管和多个串联的PMOS管组成；所述软启动控制信号发生电路包括三个反相器Ⅱ、一个D触发器、一个反相器链、一个或非门Ⅰ和一个与非门Ⅱ，第一所述反相器Ⅱ接在所述D触发器的触发端，所述D触发器的输出端同时与所述反相器链的输入端和所述或非门Ⅰ的第一输入端连接，所述反相器链的输出端与所述或非门Ⅰ的第二输入端连接，所述或非门Ⅰ的输出端与第二所述反相器Ⅱ的输入端连接，第二所述反相器Ⅱ的输出端接在所述与非门Ⅱ的其中一个输入端上，所述第三反相器Ⅱ接在所述与非门Ⅱ的输出端上，所述反相器链由多个反相器串联而成；所述反馈控制电路包括五个反相器Ⅲ和一个或非门Ⅱ，所述第一反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的第一输入端，所述第二反相器Ⅲ、所述第三反相器Ⅲ和所述第四反相器Ⅲ依次串联并接在所述或非门Ⅱ的第二输入端，所述第二反相器Ⅲ由一个PMOS管和多个串联的NMOS管组成，所述第五反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的输出端。