[发明专利]上电复位电路和包括其的半导体存储器件有效
| 申请号： | 201510917341.X | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN106340318B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 金道映 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供一种上电复位电路，该上电复位电路包括：分压单元，适用于根据电阻比率来划分外部电源电压以输出分压；信号发生单元，适用于在分压具有设置电平或更高时，输出上电复位信号；以及电阻调节单元，适用于响应于上电复位信号来调节分压单元的电阻比率。 | ||
| 搜索关键词： | 复位 电路 包括 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种上电复位电路，包括：分压单元，适用于根据电阻比率来划分外部电源电压以输出分压；信号发生单元，适用于在所述分压具有设置电平或更高时，输出上电复位信号；以及电阻调节单元，适用于响应于上电复位信号来调节分压单元的电阻比率。
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