[发明专利]多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法在审

专利信息
申请号: 201510917657.9 申请日: 2015-12-10
公开(公告)号: CN106874528A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 何丹 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 赵囡囡,吴贵明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法。该多指状晶体管包括依次设置的多个栅极,以及设置于各栅极的两侧的源极和漏极,且源极和漏极依次间隔设置,该多指状晶体管包括nf个栅极,多指状晶体管在平行于栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w,nf≥2,该计算方法包括以下公式nrd=Ld/nf/w,nrd为多指状晶体管的漏极方块电阻,Ld为各漏极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和;nrs=Ls/nf/w,nrs为多指状晶体管的源极方块电阻,Ls为各源极在垂直于栅极的延伸方向上的电阻长度之和。利用该计算方法实现了准确地对晶体管进行仿真的目的。
搜索关键词: 多指状 晶体管 电阻 计算方法 仿真 方法
【主权项】:
一种多指状晶体管的电阻计算方法,所述多指状晶体管包括依次设置的多个栅极,以及设置于各所述栅极的两侧的源极和漏极,且所述源极和所述漏极依次间隔设置,其特征在于,所述多指状晶体管包括nf个所述栅极,所述多指状晶体管在平行于所述栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w,nf≥2,且所述电阻计算方法包括以下公式:nrd=Ld/nf/w,其中,nrd为所述多指状晶体管的漏极方块电阻,Ld为各所述漏极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和;以及nrs=Ls/nf/w,其中,nrs为所述多指状晶体管的源极方块电阻,Ls为各所述源极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和。
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