[发明专利]一种基于截断效应补偿的有限阵有源反射系数计算方法

摘要

本发明属于微波天线技术，涉及对有限阵有源反射系数计算方法的改进。其特征在于:计算的步骤如下：确定初始参考阵列圈数；计算圈数为N的初始参考阵列的互耦系数；推算圈数为N+1阵列的互耦系数；计算圈数为N+1阵列的有源反射系数；计算所需规模阵列有源反射系数。本发明提出了一种基于截断效应补偿的有限阵列有源反射系数快速计算方法，有效地提高了大规模有限阵列有源反射系数计算效率与计算精度。

主权项

1.一种基于截断效应补偿的有限阵有源反射系数计算方法，其特征在于:计算的步骤如下：1.1、确定初始参考阵列圈数:通过分析不同规模大小的有限大阵列天线的截断效应，确定初始参考阵列规模大小圈数为N；1.2、计算圈数为N的初始参考阵列的互耦系数；采用全波算法计算初始参考阵列中中心单元与各单元的互耦系数S1i，其中1表示初始参考阵列中心单元，i表示初始参考阵列中的任意单元，i＝1,2…MN；其中MN表示渐变开槽单元组成的有限大阵列的阵列圈数为N时的单元个数，MN与圈数N的关系为：1.3、推算圈数为N+1阵列的互耦系数：当阵列规模大小圈数增加到N+1时，基于初始参考的N圈阵列中的互耦系数S1j，采用互耦系数外推法公式2推算出阵列第N+1圈中中心单元与各单元的互耦系数S1j，其中j表示N+1圈阵列中的任意单元，j＝1,2…MN+1；其中MN+1表示渐变开槽单元组成的有限大阵列的阵列圈数为N+1时的单元个数，根据公式1的关系式可以计算得到；S1，N+1=S1，N+(S1，N‑S1，N‑1)       公式2在公式2中各符号的含义为：S1，N+1表示渐变开槽单元组成的有限大阵列的阵列圈数为N+1时，阵列中心单元与其余各单元的互耦系数；S1，N表示渐变开槽单元组成的有限大阵列的阵列圈数为N时，阵列中心单元与其余各单元的互耦系数；S1，N‑1表示渐变开槽单元组成的有限大阵列的阵列圈数为N‑1时，阵列中心单元与其余各单元的互耦系数；1.4、计算圈数为N+1阵列的有源反射系数：根据阵列第N+1圈中中心单元与各单元的互耦系数S1j，其中j表示N+1圈阵列中的任意单元，j＝1,2…MN+1，由公式3可以得到N+1圈阵列中心单元的有源反射系数R；其中R表示有源反射系数；S1j表示中心单元和第j个单元的互耦系数；a1表示N+1圈阵列中中心单元的激励场强；aj表示N+1圈阵列中第j个单元的激励场强；1.5、计算所需规模阵列有源反射系数：当阵列规模大小圈数进一步增大时，重复上述步骤1.3和步骤1.4，通过迭代可得到任意规模大小阵列中单元的有源反射系数。