[发明专利]半导体加工设备有效
申请号: | 201510918370.8 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN106876299B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 赵隆超 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的半导体加工设备,包括反应腔室、中央进气机构和边缘进气机构,其中,中央进气机构设置在反应腔室的顶部中心位置处;边缘进气机构包括进气口、匀流腔和多个出气口,匀流腔环绕设置在反应腔室的边缘位置处;多个出气口沿匀流腔的周向均匀分布。在每个出气口内设置有通断装置,用以在通过进气口向匀流腔内输送工艺气体时,在气压的作用下使出气口与反应腔室相连通;或者,在未向匀流腔内输送工艺气体时,在气压的作用下使出气口与反应腔室相隔离。本发明提供的半导体加工设备,其在将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室时,可以避免留存在匀流腔内部的工艺气体进入到反应腔室内,从而可以保证工艺均匀性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体加工设备,包括反应腔室、中央进气机构和边缘进气机构,其中,所述中央进气机构设置在所述反应腔室的顶部中心位置处;所述边缘进气机构包括进气口、匀流腔和多个出气口,其中,所述匀流腔环绕设置在所述反应腔室的边缘位置处;所述进气口用于将工艺气体输送至所述匀流腔;所述多个出气口沿所述匀流腔的周向均匀分布,用以将所述匀流腔内的工艺气体输送至所述反应腔室内,其特征在于,在每个所述出气口内设置有通断装置,用以在通过所述进气口向所述匀流腔内输送工艺气体时,在气压的作用下使所述出气口与所述反应腔室相连通;或者,在未向所述匀流腔内输送工艺气体时,在气压的作用下使所述出气口与所述反应腔室相隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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