[发明专利]高像素影像传感芯片的封装结构及封装方法

摘要

本发明公开了一种高像素影像传感芯片的封装结构及封装方法，在载板上制作贯通的第一空腔的同时，制作了贯通的第二空腔，载板及其上的第一空腔可为高像素影像传感芯片的感测区与透光基板之间提供较大的间隙，并在封装过程中起到防护感测区受到污染或损伤的作用，提高封装的可靠性及稳定性；通过第二空腔暴露影像传感芯片的焊垫，可以直接打线将影像传感芯片的电性引出至功能基板，与传统的硅通孔工艺相比，不需要铺设绝缘层、金属线路层等而直接将电性导出，制程简单，封装体的体积较小，同时能够有效地节约经济成本；且载板上制作第一空腔的同时制作贯通的第二空腔，减少制作工艺步骤，工艺极为简单。

主权项

1.一种高像素影像传感芯片的封装方法，其特征在于：包含如下步骤：步骤1、提供一包含若干影像传感芯片(200)的晶片，每个影像传感芯片的功能面上具有感测区(202)及位于感测区周围的若干焊垫(201)，相邻影像传感芯片之间具有切割道；步骤2、选取与影像传感芯片基底材质相同的载板，所述载板包括对应若干影像传感芯片的若干载板单元(100)，在每个载板单元上同时制作贯通其上下表面的第一空腔(101)和至少一第二空腔(102)；所述第一空腔对应影像传感芯片的感测区位置，并能够罩住影像传感芯片的感测区；所述第二空腔对应影像传感芯片的焊垫位置，并能够暴露出影像传感芯片的焊垫；步骤3、在每个载板单元的第一空腔的上表面开口上盖上一透光基板(300)；步骤4、通过粘结剂(400)将所述载板的下表面与所述晶片的功能面键合在一起，使每个载板单元上的第一空腔罩住其对应的影像传感芯片的感测区，每个载板单元上的第二空腔暴露其对应的影像传感芯片的焊垫；步骤5、对步骤4中键合之后的晶片的非功能面进行减薄，达到设定厚度；步骤6、切割步骤5中减薄之后的晶片及载板，形成单颗影像传感芯片准封装结构；步骤7、利用打线键合工艺，将影像传感芯片的非功能面键合于一功能基板上(500)，将影像传感芯片的焊垫电性打线导出至所述功能基板上的连接点上，形成单颗影像传感芯片封装结构。