[发明专利]液体处理方法和液体处理装置有效
| 申请号： | 201510919402.6 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105810558B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 桥本崇史;畠山真一;柴田直树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种液体处理方法，其特征在于，包括：使基板以第一转速旋转，同时在从所述基板的旋转中心偏离的位置开始向所述基板的表面供给处理液，并使所述处理液的供给位置向所述旋转中心侧移动；和在所述处理液的供给位置到达所述旋转中心后，使所述基板以比所述第一转速大的第二转速旋转，由此使所述处理液涂敷扩展到所述基板的外周侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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