[发明专利]双面光电转换元件在审

专利信息
申请号: 201510920400.9 申请日: 2015-12-11
公开(公告)号: CN106684173A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 陈松裕;林钰璇;厉文中;杜政勋;黄崇杰;彭成瑜 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/068
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 宋焰琴
地址: 中国台湾新竹 *** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种双面光电转换元件,包括具有第一导电型态的半导体基板以及具有第二导电型态的半导体层。半导体基板的第一表面具有第一织构化结构,而半导体基板的第二表面具有第二织构化结构。第一织构化结构的斜面切线与半导体基板的垂直入射线之间夹角为第一角度,而第二织构化结构的斜面切线与半导体基板的垂直入射线之间夹角为第二角度。第二角度大于第一角度,且第二角度大于等于80°并小于90°。半导体层设置在半导体基板的第一表面上。
搜索关键词: 双面 光电 转换 元件
【主权项】:
一种双面光电转换元件,其特征在于,所述双面光电转换元件包括:半导体基板,具有第一导电型态,其中该半导体基板的第一表面为主要受光面,该第一表面具有第一织构化结构,该第一织构化结构的斜面切线与该半导体基板的垂直入射线的夹角的角度为第一角度,该半导体基板的第二表面为次要受光面,该第二表面具有第二织构化结构,该第二织构化结构的斜面切线与该半导体基板的垂直入射线的夹角的角度为第二角度,该第二角度大于等于80°并小于90°,且该第二角度大于该第一角度;半导体层,具有不同于该第一导电型态的第二导电型态,其中该半导体层设置在该半导体基板的该第一表面上,并且该半导体层电性连接该第一表面;第一电极,设置在该半导体层上,且电性连接该半导体层;以及第二电极,设置在该半导体基板的该第二表面上,且电性连接该第二表面。
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