[发明专利]双面光电转换元件在审
申请号: | 201510920400.9 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN106684173A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 陈松裕;林钰璇;厉文中;杜政勋;黄崇杰;彭成瑜 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/068 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾新竹 *** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面光电转换元件,包括具有第一导电型态的半导体基板以及具有第二导电型态的半导体层。半导体基板的第一表面具有第一织构化结构,而半导体基板的第二表面具有第二织构化结构。第一织构化结构的斜面切线与半导体基板的垂直入射线之间夹角为第一角度,而第二织构化结构的斜面切线与半导体基板的垂直入射线之间夹角为第二角度。第二角度大于第一角度,且第二角度大于等于80°并小于90°。半导体层设置在半导体基板的第一表面上。 | ||
搜索关键词: | 双面 光电 转换 元件 | ||
【主权项】:
一种双面光电转换元件,其特征在于,所述双面光电转换元件包括:半导体基板,具有第一导电型态,其中该半导体基板的第一表面为主要受光面,该第一表面具有第一织构化结构,该第一织构化结构的斜面切线与该半导体基板的垂直入射线的夹角的角度为第一角度,该半导体基板的第二表面为次要受光面,该第二表面具有第二织构化结构,该第二织构化结构的斜面切线与该半导体基板的垂直入射线的夹角的角度为第二角度,该第二角度大于等于80°并小于90°,且该第二角度大于该第一角度;半导体层,具有不同于该第一导电型态的第二导电型态,其中该半导体层设置在该半导体基板的该第一表面上,并且该半导体层电性连接该第一表面;第一电极,设置在该半导体层上,且电性连接该半导体层;以及第二电极,设置在该半导体基板的该第二表面上,且电性连接该第二表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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