[发明专利]一种氮化物发光二极管及其生长方法在审
| 申请号： | 201510921681.X | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105514234A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;林兓兓;黄文宾 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物发光二极管及其生长方法，其中结构包括基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、量子阱发光层和p型层，所述n型层为未掺杂AlGaN层与n型掺杂GaN层交替堆叠形成的超晶格结构，控制所述未掺杂AlGaN层的Al组分以产生第一应力，用于抵消所述n型掺杂GaN产生的第二应力，从而降低N型层因掺杂杂质时产生的晶体缺陷及翘曲。同时提供一种氮化物发光二极管的生长方法，通过控制n型层的生长温度和压力，n型掺杂GaN层的厚度大于所述未掺杂AlGaN层的厚度，用于改善未掺杂AlGaN层表面粗糙度，形成表面平整的n型掺杂GaN层。本发明在改善器件串联电阻的同时，改善晶体缺陷及翘曲，进一步提高器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管，包括一基板，及依次形成于所述基板上的缓冲层、n型层、量子阱发光层和p型层，其特征在于：所述n型层为未掺杂AlGaN层与n型掺杂GaN层交替堆叠形成的超晶格结构，所述未掺杂AlGaN层产生第一应力，抵消所述n型掺杂GaN层产生的第二应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510921681.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
