[发明专利]发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510921693.2 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105355743A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张洁;刘建明;朱学亮;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，通过在衬底的表面上植入一导电掩膜层，在该导电掩膜层上外延生长形成外延叠层，在外延叠层设置电流通道，当注入电流时，首先通过该电流通道传导至导电掩膜层，在该导电掩膜层进行横向扩展后进入外延叠层，有效改善了电流扩展均匀性，可降低器件工作电压。同时，导电掩膜层对光线具有反射作用，进一步提高萃取效率和发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：绝缘衬底，具有相对的上、下表面；导电掩膜层，设置于所述绝缘衬底上表面，具有曝露图形以裸露出所述衬底的部分上表面；外延叠层，通过外延生长被设置于所述导电掩膜层上，从下至上依次包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；电流通道，设置于所述外延叠层，贯穿所述第一类型半导体层，与所述导电掩膜层连接，当向所述外延叠层注入电流时，大部分的电子电流通过该电流通道传导至所述导电掩膜层，在该导电掩膜层进行横向扩展后再进入所述外延叠层。
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