[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：形成包括第一区域和第二区域的衬底、凸出于第一区域衬底的第一鳍部和凸出于第二区域衬底的第二鳍部；在第一鳍部形成第一伪栅结构，包括栅氧化层和第一伪栅电极层，在第二鳍部形成第二伪栅结构，包括伪栅氧化层和第二伪栅电极层；去除第一伪栅电极层和第二伪栅电极层后对栅氧化层和伪栅氧化层进行第一退火工艺；对栅氧化层和伪栅氧化层进行掺氮工艺及第二退火工艺；分别在第一鳍部、第二鳍部表面形成第一栅极结构和第二栅极结构。本发明先对栅氧化层进行第一退火工艺，再对栅氧化层进行掺氮工艺，避免被氮化的部分所述栅氧化层因所述第一退火工艺再次被氧化，进而提高半导体器件的电学性。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域，凸出于所述第一区域衬底的鳍部为第一鳍部，凸出于所述第二区域衬底的鳍部为第二鳍部；在所述第一鳍部表面形成第一伪栅结构并在所述第二鳍部表面形成第二伪栅结构，其中，所述第一伪栅结构包括栅氧化层和第一伪栅电极层，所述第二伪栅结构包括伪栅氧化层和第二伪栅电极层；在所述半导体基底表面形成介质层，所述介质层与所述第一伪栅结构和第二伪栅结构齐平并露出所述第一伪栅电极层和第二伪栅电极层；去除所述第一伪栅电极层，暴露出部分栅氧化层并在所述介质层内形成第一开口，去除所述第二伪栅电极层，暴露出部分伪栅氧化层并在所述介质层内形成第二开口；对所述第一开口底部的栅氧化层以及所述第二开口底部的伪栅氧化层进行第一退火工艺；第一退火工艺后，对所述第一开口底部的栅氧化层以及所述第二开口底部的伪栅氧化层进行掺氮工艺；所述掺氮工艺之后，去除所述第二开口底部的伪栅氧化层，暴露出所述第二鳍部的部分表面；去除所述第二开口底部的伪栅氧化层之后，对所述第一鳍部和第二鳍部进行第二退火工艺；第二退火工艺后，在所述栅氧化层表面、第一开口侧壁以及第二开口的底部和侧壁上形成栅介质层；在所述第一开口和第二开口中填充金属层，位于所述第一开口中的栅氧化层、栅介质层和金属层用于构成第一栅极结构，位于所述第二开口中的栅介质层和金属层用于构成第二栅极结构。