[发明专利]一种用于陶瓷基复合材料基体的环境障碍涂层及制备方法在审
申请号: | 201510923560.9 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN105384467A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 王纯;周海滨;李其连;靳磊 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 |
主分类号: | C04B41/52 | 分类号: | C04B41/52;C04B41/89 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 姚亮;沈金辉 |
地址: | 100024 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于陶瓷基复合材料基体的环境障碍涂层及制备方法,该环境障碍涂层的底层选用化学气相沉积SiC涂层(过渡层),面层用等离子喷涂硅酸钇和/或莫来石涂层。SiC底层与陶瓷基复合材料基体有着极为接近的热膨胀系数,避免了涂层自基体开裂、剥落现象;面层材料选用硅酸钇掺杂莫来石材料,自内而外逐渐增加莫来石粉末材料比重,硅酸钇材料具有与SiC结合力强,与SiC热膨胀系数匹配,低挥发率,低氧气渗透率等特点,避免了涂层在底层-面层界面发生开裂而失效,而莫来石材料具有抗冲刷性好,热稳定性高等优点,可以胜任在高温环境下工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 陶瓷 复合材料 基体 环境 障碍 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于陶瓷基复合材料基体的环境障碍涂层,其中,该涂层的底层材料为SiC,面层为硅酸钇和/或莫来石组成的复合层;所述复合层包括复合层底层、复合层中间层和复合层顶层;在所述复合层底层中,硅酸钇的质量百分含量为80%以上,其余为莫来石;在所述复合层顶层中,莫来石的质量百分含量为80%以上,其余为硅酸钇;所述复合层中间层由莫来石含量依次递增的若干次级层组成;其中,莫来石含量递增的幅度不超过25%;复合层底层、与复合层底层接触的次级层之间,硅酸钇的含量差不超过25%;复合层顶层、与复合层顶层接触的次级层之间,莫来石的含量差不超过25%;在整个复合层中,从复合层底层至复合层顶层,硅酸钇的含量呈逐渐下降趋势,莫来石的含量呈逐渐上升趋势。
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