[发明专利]具有不对称结构的晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510926288.X | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN106876460B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡杰赟;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有不对称结构的晶体管的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；形成覆盖部分所述第二半导体层的第一掩膜结构，在所述第一掩膜结构的第一侧形成第二掩膜结构；对所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构暴露出的第二半导体层进行刻蚀，直至暴露出所述第一半导体层的表面，剩余的第二半导体层构成衬垫层；在所述第一掩膜结构的与所述第一侧相对的第二侧形成侧墙结构；去除所述第二掩膜结构，在所述第一掩膜结构第一侧的衬垫层上形成漏极接触结构，在所述第一掩膜结构第二侧的第一半导体层上形成源极接触结构。本发明形成的具有不对称结构的晶体管的漏电流小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不对称 结构 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有不对称结构的晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；形成覆盖部分所述第二半导体层的第一掩膜结构，在所述第一掩膜结构的第一侧形成第二掩膜结构；对所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构暴露出的第二半导体层进行刻蚀，直至暴露出所述第一半导体层的表面，剩余的第二半导体层构成衬垫层；在所述第一掩膜结构的与所述第一侧相对的第二侧形成侧墙结构；去除所述第二掩膜结构，在所述第一掩膜结构第一侧的衬垫层上形成漏极接触结构，在所述第一掩膜结构第二侧的第一半导体层上形成源极接触结构。
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