[发明专利]一种改进的异或门逻辑单元电路在审

专利信息
申请号: 201510927493.8 申请日: 2015-12-14
公开(公告)号: CN105375916A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 孙缵;胡银肖;李玮 申请(专利权)人: 武汉芯昌科技有限公司
主分类号: H03K19/21 分类号: H03K19/21;H03K19/00
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 430000 湖北省武汉市东湖开发*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种改进的异或门逻辑单元电路,由PMOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2组成第一级电路;PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成第二级电路。第一级电路中,PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联,NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联。第二级电路中,PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联,然后和PMOS晶体管P5串联;NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联,然后和NMOS晶体管N5并联。本发明所使用的晶体管数量为10个,比传统的异或门逻辑单元电路少2个晶体管,通过较少的晶体管实现了异或运算逻辑,减小了面积,降低了功耗。
搜索关键词: 一种 改进 逻辑 单元 电路
【主权项】:
一种改进的异或门逻辑单元电路,其特征在于,由两级电路来组成电路单元,包括第一级电路和第二级电路;所述第一级电路的输出端连接第二级电路的输入端;所述第一级电路中,PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联,NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联;所述第二级电路中,PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联,然后和PMOS晶体管P5串联;NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联,然后和NMOS晶体管N5并联。
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