[发明专利]一种改进的异或门逻辑单元电路在审
申请号: | 201510927493.8 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN105375916A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 孙缵;胡银肖;李玮 | 申请(专利权)人: | 武汉芯昌科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/21 | 分类号: | H03K19/21;H03K19/00 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种改进的异或门逻辑单元电路,由PMOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2组成第一级电路;PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成第二级电路。第一级电路中,PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联,NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联。第二级电路中,PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联,然后和PMOS晶体管P5串联;NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联,然后和NMOS晶体管N5并联。本发明所使用的晶体管数量为10个,比传统的异或门逻辑单元电路少2个晶体管,通过较少的晶体管实现了异或运算逻辑,减小了面积,降低了功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 逻辑 单元 电路 | ||
【主权项】:
一种改进的异或门逻辑单元电路,其特征在于,由两级电路来组成电路单元,包括第一级电路和第二级电路;所述第一级电路的输出端连接第二级电路的输入端;所述第一级电路中,PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联,NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联;所述第二级电路中,PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联,然后和PMOS晶体管P5串联;NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联,然后和NMOS晶体管N5并联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉芯昌科技有限公司,未经武汉芯昌科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510927493.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。