[发明专利]一种低暗电流铟镓砷探测器及其制备方法

摘要

本发明所述的一种低暗电流铟镓砷探测器，包括层叠设置的第二电极、N型InP衬底和本征InP缓冲层，所述InP缓冲层上直接形成有InGaAs光敏层，所述InGaAs光敏层上层叠设置有InP帽层和通过外延方式生长的钝化层，所述InP帽层面积小于或等于所述InGaAs光敏层的面积；所述钝化层中开设有暴露所述InP帽层部分区域的通孔，沿所述通孔内侧壁形成环形第一电极。通过外延方式制备的钝化层，其成膜质量远远高于传统工艺所制备的钝化层，可以大大降低铟镓砷探测器的暗电流，提高灵敏度。

主权项

一种低暗电流铟镓砷探测器，其特征在于，包括层叠设置的第二电极（8）、N型InP衬底（1）和本征InP缓冲层（2），所述InP缓冲层（2）上直接形成有InGaAs光敏层（3），所述InGaAs光敏层（3）上层叠设置有InP帽层（4）和通过外延方式生长的钝化层（5），所述InP帽层面积小于或等于所述InGaAs光敏层的面积；所述钝化层（5）中开设有暴露所述InP帽层部分区域的通孔，沿所述通孔内侧壁形成环形第一电极（6）。