[发明专利]具备自滤光功能的硅光电探测器芯片在审
| 申请号： | 201510928790.4 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105405912A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 朱海华;卜晖;熊谊棱;范宗孝;骆菲 | 申请（专利权）人： | 重庆鹰谷光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/101;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具备自滤光功能的硅光电探测器芯片，包括探测器芯片，其创新在于：所述探测器芯片的光敏区表面蒸镀有干涉滤光膜层。本发明的有益技术效果是：提供了一种制备自滤光功能的硅光电探测器芯片，采用这种芯片制作出的探测器，具有增强抗亮背景干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 滤光 功能 光电 探测器 芯片 | ||
【主权项】：
一种具备自滤光功能的硅光电探测器芯片，包括探测器芯片（1），其特征在于：所述探测器芯片（1）的光敏区表面蒸镀有干涉滤光膜层（2）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
