[发明专利]具有降低的导通阻抗的垂直FET在审
| 申请号： | 201510929208.6 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105702735A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | H·奈克;T·D·亨森;N·兰简 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技美国公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及具有降低的导通阻抗的垂直FET。在一个实施方式中，一种垂直场效应晶体管(FET)包括：衬底，具有位于漏极上方的漂移区域、位于漂移区域上方并且在其中形成有源极扩散部的本体区域、延伸通过本体区域的栅极沟槽、以及邻近栅极沟槽的沟道区域。沟道区域通过相应深本体注入部沿栅极沟槽间隔开。每个深本体注入部大致位于至少一个源极扩散部下方并且具有比栅极沟槽的深度更深的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 阻抗 垂直 fet | ||
【主权项】：
一种垂直场效应晶体管(FET)，包括：衬底，具有位于漏极上方的漂移区域、位于所述漂移区域上方并且在其中形成有源极扩散部的本体区域、延伸通过所述本体区域的栅极沟槽、以及邻近所述栅极沟槽的沟道区域；所述沟道区域，通过相应的深本体注入部沿所述栅极沟槽间隔开；每个所述深本体注入部，大致位于至少一个所述源极扩散部下方并且具有比所述栅极沟槽的深度更深的深度。
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