[发明专利]一种硒化物薄膜修饰泡沫镍电极的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201510929610.4 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN106868563B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 黄明华;徐秀娟;陈宗坤;王昕 | 申请（专利权）人： | 中国海洋大学 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 青岛合创知识产权代理事务所(普通合伙) 37264 | 代理人： | 傅培 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硒化物薄膜泡沫镍电极的制备方法。该方法包括以下步骤：将泡沫镍电极用盐酸和乙醇进行表面化处理，除去表面的氧化镍层，得到干净新鲜的金属表面；预处理后，将该泡沫镍电极浸入到过渡金属氯化物、硫族氧化物及支持电解质的混合溶液中，在泡沫镍电极表面用电化学方法沉积硒化物薄膜。通过电化学沉积方法所得到的硒化物薄膜稳定，可以实现水分解的氧催化析出；而且泡沫镍电极具有多层结构，这种特殊的三维多孔结构，与其他一维或二维的基底电极相比，具有更丰富的表面积，而且价格便宜，有利于工业大规模应用；该薄膜催化剂有望用于电解水制氢研究领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化物 薄膜 修饰 泡沫 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.采用泡沫镍电极制备硒化物薄膜的制备方法，其特征在于：将泡沫镍电极置于电沉积溶液中，室温下在适当的电位下进行恒电位沉积一定时间，水洗，得到生长在泡沫镍电极上的硒化物薄膜；所述电沉积溶液中包括以下三种组分：5～50mM的过渡金属氯化物、5～50mM的硫族氧化物以及25～75mM的支持电解质；所述恒电位沉积的电位为‑0.7V，所述恒电位沉积的时间为15～25min；所述电沉积溶液中过渡金属氯化物和硫族氧化物的摩尔浓度比为1:0.5～2。
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