[发明专利]一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510931171.0 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105552114A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;陈建秋;蔡炜;兰林锋;姚日晖;王磊;徐苗;邹建华;陶洪;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；所述的有源层是以非晶氧化物SiSnO薄膜作为有源层。本发明基于背沟道刻蚀型薄膜晶体管结构，引入了非晶锡硅氧化物SiSnO作为有源层。该氧化物抗刻蚀能力强，能够大大减少刻蚀源漏电极的过程中对薄膜晶体管背沟道的损伤，且阈值电压较好。使用本发明制作背沟道刻蚀型薄膜晶体管稳定性大大提升，满足了薄膜晶体管产品化的要求，因此具有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 半导体材料 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管，其特征在于：由下至上依次包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；所述的有源层是以非晶氧化物SiSnO薄膜作为有源层。
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