[发明专利]等离子体处理装置以及电子部件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510931460.0 申请日: 2015-12-15
公开(公告)号: CN105895488B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 岩井哲博;置田尚吾;渡边彰三 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘建
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的等离子体处理装置以及电子部件的制造方法在对基板进行等离子体处理时,高效地对基板和保持该基板的搬运载体进行冷却。等离子体处理装置对载体所保持的基板进行等离子体处理,载体具备在基板的周围配置的框架、和保持基板以及框架的保持片,等离子体处理装置具备:腔室;工作台,其配置在腔室内,且具有搭载载体的上表面;气体孔,其设置在上表面的与框架的底面对置的位置,且向工作台与载体之间供给冷却用气体;以及等离子体激发装置,其在腔室内产生等离子体。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 以及 电子 部件 制造 方法
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置对载体所保持的基板进行等离子体处理,其中,所述载体具备在所述基板的周围配置的框架、和保持所述基板以及所述框架的保持片,所述等离子体处理装置具备:腔室;工作台,其配置在所述腔室内,且具有搭载所述载体的上表面;气体孔,其设置在所述上表面的与所述框架的底面对置的位置,且向所述工作台与所述载体之间供给冷却用气体;以及等离子体激发装置,其在所述腔室内产生等离子体,所述上表面具有第一区域、第二区域和第三区域,所述第一区域具有第一粗糙度,所述第二区域配置在所述第一区域的周围且具有比所述第一粗糙度小的第二粗糙度,所述第三区域形成在所述第一区域的内侧且具有第三粗糙度,所述气体孔设置在所述第一区域内,所述第二区域的最大高度比所述第一区域的最大高度高,所述第三区域的最大高度与所述第二区域的最大高度相同。
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