[发明专利]一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510933266.6 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105514267B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘东青;程海峰;张朝阳;郑文伟 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)43213 | 代理人： | 杨斌 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器，为由衬底、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层组成的叠加结构，所述功能层为非晶态SiC薄膜，所述非晶态SiC薄膜的厚度为10nm～30nm。本发明的制备方法，包括以下步骤(1)在衬底上制备底电极；(2)在所述底电极上通过射频磁控溅射方法制备非晶态SiC薄膜；(3)在所述非晶态SiC薄膜上通过金属掩模板用直流磁控溅射方法制备顶电极，即得到所述低功耗忆阻器。本发明的忆阻器操作电压、操作电流小，从而降低了器件的功耗；本发明的制备方法在室温下进行可降低能耗，易于与其他工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 晶态 sic 薄膜 功耗 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器的制备方法，其特征在于，所述低功耗忆阻器，为由衬底、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层组成的叠加结构，所述功能层为非晶态SiC薄膜，所述非晶态SiC薄膜为多孔隙结构，所述非晶态SiC薄膜的厚度为10nm～30nm；所述顶电极为点状金属Ag薄膜；所述底电极为金属Pt薄膜；所述制备方法具体包括以下步骤：(1)在衬底上制备底电极；(2)在所述底电极上通过射频磁控溅射方法制备非晶态SiC薄膜；其中，射频磁控溅射的工艺条件为：以SiC陶瓷靶为溅射靶材，腔室压力小于5×10‑4Pa，溅射温度为20℃～50℃，溅射压力为1.5Pa～5.0Pa，溅射功率为100W～200W，氩气流量为30sccm～50sccm；(3)在所述非晶态SiC薄膜上通过金属掩模板用直流磁控溅射方法制备顶电极，即得到所述低功耗忆阻器；其中，直流磁控溅射的工艺条件为：以金属Ag靶为溅射靶材，腔室压力小于1×10‑3Pa，溅射温度为20℃～50℃，溅射压力为1.0Pa～2.0Pa，溅射功率为10W～20W，溅射气体氩气流量为20sccm～40sccm。
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