[发明专利]一种中空的硫化物纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510937247.0 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105366705B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 马占芳;冯锋 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | C01G1/12 | 分类号： | C01G1/12 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;张皓 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种中空硫化物纳米材料的制备方法以及由该方法制备的中空硫化物纳米材料。根据本发明合成的中空硫化物纳米材料的方法具有反应温度低，反应时间短和获得的产物具有好的单分散性的特点。制备的中空的硫化物纳米材料具有大的比表面积、均一的形貌和较多的化学活性位点，另外可以根据反应时间很好的控制球形纳米材料的中空程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 硫化物 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中空硫化物纳米材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：将实心硫化物纳米材料加入到反应器中，然后加入有机醇作为溶剂，所述实心硫化物和所述有机醇的重量之比为1:1000‑1:8000，搅拌情况下，加入聚乙烯亚胺的水溶液和卤代烷烃，升温至25‑200℃，继续搅拌下反应40分钟至120分钟，所述实心硫化物和所述聚乙烯亚胺的重量之比为1:1000‑1:8000，所述实心硫化物和所述卤代烷烃的质量之比为1:100‑1:600；所述卤代烷烃选自一卤代丙烷、二卤代丙烷、一卤代丁烷或二卤代丁烷。
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