[发明专利]发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件在审
| 申请号： | 201510937597.7 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105470372A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 新堀悠纪;大薮恭也;佐藤慧;伊藤久贵 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/60;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 制造 方法 元件 | ||
【主权项】：
一种发光二极管元件，其特征在于，其具备：形成为片状的荧光体层；和形成在所述荧光体层的厚度方向中一方向侧的面的光半导体层；和以与所述光半导体层连接的方式形成在所述光半导体层的所述厚度方向中一方向侧的面的电极部；和被覆所述光半导体层和所述电极部、并且露出所述电极部的所述厚度方向中一方向侧的面的、含有光反射成分的密封树脂层。
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