[发明专利]用于差分信号器件的静电放电保护器件有效
申请号: | 201510938252.3 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN105977251B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 李介文 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/10 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种具有鲁棒性的静电放电(ESD)保护器件。在一个实例中,ESD保护器件被配置为包括三个节点。当与差分信号器件一起使用时,第一节点和第二节点可以分别连接至差分信号器件的BP和BM信号线,并且第三节点可以连接至电源电压。这允许单个ESD保护器件用于保护差分信号器件的信号线,因此与使用三个双节点ESD保护器件来完成基本相同的保护机制的传统的方法相比显著节省了衬底面积。而且,如FlexRay标准所要求的,ESD保护器件可以在结构上设计为处理高压ESD事件。 | ||
搜索关键词: | 用于 信号 器件 静电 放电 保护 | ||
【主权项】:
1.一种用于差分信号器件的静电放电保护器件,包括:衬底,具有第一导电类型;掩埋层材料,具有第二导电类型,所述掩埋层材料形成在所述衬底的表面上方并且与所述衬底的表面接触;具有所述第一导电类型的第一、第二、第三和第四高压阱,具有所述第一导电类型的所述第一、所述第二、所述第三和所述第四高压阱形成在所述掩埋层材料的表面上方并且与所述掩埋层材料的表面接触;第一、第二、第三和第四浅阱区域,具有所述第一导电类型,所述第一、所述第二、所述第三和所述第四浅阱区域分别形成在具有所述第一导电类型的所述第一、所述第二、所述第三和所述第四高压阱上方并且分别与具有所述第一导电类型的所述第一、所述第二、所述第三和所述第四高压阱接触;第一、第二、第三和第四掺杂区域,具有所述第一导电类型,所述第一、所述第二、所述第三和所述第四掺杂区域分别形成在所述第一、所述第二、所述第三和所述第四浅阱区域上方并且与所述第一、所述第二、所述第三和所述第四浅阱区域接触;具有所述第二导电类型的第一、第二和第三高压阱,具有所述第二导电类型的所述第一、所述第二和所述第三高压阱形成在所述掩埋层材料的表面上方并且与所述掩埋层材料的表面接触,其中,具有所述第二导电类型的所述第一高压阱位于具有所述第一导电类型的所述第一高压阱与具有所述第一导电类型的所述第二高压阱之间并且与具有所述第一导电类型的所述第一高压阱和具有所述第一导电类型的所述第二高压阱接触,具有所述第二导电类型的所述第二高压阱位于具有所述第一导电类型的所述第二高压阱与具有所述第一导电类型的所述第三高压阱之间并且与具有所述第一导电类型的所述第二高压阱和具有所述第一导电类型的所述第三高压阱接触,以及具有所述第二导电类型的所述第三高压阱位于具有所述第一导电类型的所述第三高压阱与具有所述第一导电类型的所述第四高压阱之间并且与具有所述第一导电类型的所述第三高压阱和具有所述第一导电类型的所述第四高压阱接触;其中,具有所述第一导电类型的所述第一掺杂区域和所述第四掺杂区域连接至电源电压;其中,具有所述第一导电类型的所述第二掺杂区域连接至差分数据总线的第一信号线;以及其中,具有所述第一导电类型的所述第三掺杂区域连接至所述差分数据总线的第二信号线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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