[发明专利]保留空气层的三维阻变存储器的制备方法

摘要

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种保留空气层的三维阻变存储器的制备方法。在衬底上制备贯穿第一绝缘层的金属位线层，并继续在金属位线层之上制备第一薄膜层；于第一薄膜层之上沉积第二薄膜层，再于第二薄膜层上重复制备第三薄膜层，形成双向选通管；于第三薄膜层沉积牺牲层，去除部分牺牲层并在沿字线阵列的方向上形成若干平行的牺牲条；以各个牺牲条为光阻，去除第一薄膜层、第二薄膜层、第三薄膜层至第一绝缘层的上表面，将双向选通管隔离开；制备金属字线层，并将金属字线层按照金属位线层的方向旋转90°，三维阻变存储器的牺牲条中的相邻两个牺牲条之间制备有一空气层。

主权项

1.一种保留空气层的三维阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底，所述衬底上预设有字线阵列的方向，并所述衬底上制备第一绝缘层；于所述衬底上制备贯穿第一绝缘层的金属位线层，并继续在所述金属位线层之上制备第一薄膜层；于所述第一薄膜层之上沉积第二薄膜层，再于所述第二薄膜层上重复制备所述第一薄膜层形成第三薄膜层，形成双向选通管；于所述第三薄膜层沉积牺牲层，去除部分所述牺牲层并在沿所述字线阵列的方向上形成若干平行的牺牲条；以各个所述牺牲条为光阻，去除所述牺牲条中相邻两个牺牲条之间的所述第一薄膜层、所述第二薄膜层、所述第三薄膜层至所述第一绝缘层的上表面，将所述双向选通管隔离开；在所述双向选通管的上方制备加热电极，在所述加热电极的上方制备Y型凹槽，并填充阻变材料层，在所述阻变材料层的上方制备上电极；继续进行光刻刻蚀，至所述金属位线表面，随后进行填充，在所述的相邻两个双向选通管和阻变材料层之间形成空气层；制备金属字线层，并将所述金属字线层按照所述金属位线层的方向旋转90°，并继续执行制备金属位线层的后续步骤，以形成所述三维阻变存储器的堆叠。