[发明专利]LED芯片切割方法有效
| 申请号： | 201510939718.1 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105552029B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王永妍 | 申请（专利权）人： | 新昌县鸿吉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/00;B23K26/364 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 宋平 |
| 地址： | 312500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片切割方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤：对LED芯片进行MESA刻蚀处理；对LED芯片进行掩膜处理；将LED芯片置于激光划片机中；将激光束进行聚焦；将LED芯片沿竖直方向向下移动；对LED芯片进行划片处理；加工出的芯片切口为“U”字形，与传统的加工手段产生的“V”字形切口相比，减少了异物残留，有利于清理，保证了产品的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 半导体器件技术 激光划片机 向下移动 异物残留 字形切口 传统的 激光束 划片 刻蚀 竖直 掩膜 加工 聚焦 芯片 保证 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片切割方法，其特征在于包括以下步骤：S1：对LED芯片进行MESA刻蚀处理；S2：对LED芯片进行掩膜处理；S3：将LED芯片置于激光划片机中；S4：将激光束进行聚焦；S5：将LED芯片沿竖直方向向下移动；S6：对LED芯片进行划片处理；所述的步骤S2中的掩膜使用的材料为SiO2 ；所述的SiO2 厚度为2000Å ；所述的步骤S4中的聚焦点位于LED芯片上；所述的步骤S5中移动的距离为2-4μm；所述的步骤S6中，进行划片时，激光划片机的功率比普通聚焦划片工艺的功率增加10%-15%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
