[发明专利]CMP工艺制作焊盘的方法在审
| 申请号： | 201510939852.1 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105551975A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMP工艺制作焊盘的方法，包括下述步骤：提供晶圆，在晶圆正面用光刻和刻蚀工艺制作RDL线槽；在晶圆正面用光刻和刻蚀工艺制作焊盘槽，焊盘槽一端与RDL槽连接；焊盘槽比RDL槽浅；在晶圆正面沉积底层绝缘层；在晶圆正面的底层绝缘层上镀金属层，金属层的厚度超过焊盘槽的开槽深度，但低于RDL线槽的开槽深度；在金属层上沉积上层绝缘层；通过CMP工艺对晶圆正面进行研磨，露出焊盘槽中的金属焊盘；晶圆表面的CMP研磨停止于金属层下的底层绝缘层上。本发明制作出的焊盘表面与晶圆正面的绝缘层表面处于同一平面，甚至略高于绝缘层表面，为后续焊盘的焊接工艺提供了方便。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 工艺 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP工艺制作焊盘的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S1，提供晶圆(1)，在晶圆(1)正面用光刻和刻蚀工艺制作RDL线槽(2)；步骤S2，在晶圆(1)正面用光刻和刻蚀工艺制作焊盘槽(3)，焊盘槽(3)一端与RDL槽(2)连接；焊盘槽(3)比RDL槽(2)浅；步骤S3，在晶圆(1)正面沉积底层绝缘层(4)；步骤S4，在晶圆正面(1)的底层绝缘层(4)上镀金属层(5)，金属层(5)的厚度超过焊盘槽(3)的开槽深度，但低于RDL线槽(2)的开槽深度；步骤S5，在金属层(5)上沉积上层绝缘层(6)；步骤S6，通过CMP工艺对晶圆(1)正面进行研磨，露出焊盘槽(3)中的金属焊盘(301)；晶圆表面的CMP研磨停止于金属层下的底层绝缘层(4)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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