[发明专利]具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术有效
| 申请号： | 201510939899.8 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105720979B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | M·科尔恩;M·D·马多克斯;G·R·卡里奥;陈宝箴 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时，逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源，其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言，校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重，以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字，以纠正附加的误差源。此外，另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权，而不生成多个特殊输入电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 片内储能 电容 sar adc 校准 技术 | ||
【主权项】：
一种用于测量逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)的位加权误差的方法，所述SAR ADC采用决定和设置切换和具有用于个别位决定的片上储能电容，该方法包括：测量和第一电路的第一位电容器和第一片上储能电容关联的第一位加权误差，用于产生SAR ADC的第一位；和测量和第二电路的第二位电容器和第二片上储能电容关联的第二位加权误差，用于产生SAR ADC的第二位；其中，所述第二位加权误差独立于所述第一位加权误差。
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