[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510940001.9 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105552188B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;郝智彪;杨迪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/22;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括：衬底，该衬底的上表面包括平面部分和具有倾斜表面的突起部分；缓冲层，位于衬底上表面的平面部分上；n‑GaN层，位于缓冲层和衬底上表面的突起部分上，所述n‑GaN层的上表面包括平整表面和V形坑。本发明还公开了一种半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，该衬底的上表面包括平面部分和具有倾斜表面的突起部分；缓冲层，位于衬底上表面的平面部分上；n‑GaN层，位于缓冲层和衬底上表面的突起部分上，所述n‑GaN层的上表面包括平整表面和V形坑；InGaN量子阱层，位于n‑GaN层上，所述InGaN量子阱层包括c面量子阱和半极性面量子阱，其中：c面量子阱形成于在n‑GaN层的平整表面上；半极性面量子阱形成于n‑GaN层的V形坑的侧壁上；以及c面量子阱的面积占比远小于半极性面量子阱的面积占比，发光主要来自于半极性面InGaN量子阱，c面InGaN量子阱发光可忽略。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510940001.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
