[发明专利]TSV通孔的制作工艺方法及多种孔深的盲孔或TSV通孔的制作工艺方法在审
| 申请号： | 201510940285.1 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105428309A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤：提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点；通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆表面形成有RDL线槽的形貌；在晶圆表面沉积绝缘层；在晶圆表面绝缘层上制作金属层，在RDL线槽中形成金属RDL；在晶圆表面金属层上面沉积保护层；对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层、金属层和绝缘层；对晶圆表面TSV区域剩余的阻挡层凸点材料进行移除，露出晶圆材质；对晶圆表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔；对晶圆背面进行减薄工艺，使得盲孔底部打开，形成TSV通孔。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 制作 工艺 方法 多种 | ||
【主权项】：
一种TSV通孔的制作工艺方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S1，提供一晶圆(1)，在晶圆(1)表面沉积阻挡层(2)；步骤S2，在晶圆(1)表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层(2)移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点(201)；步骤S3，通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆(1)表面形成有RDL线槽(3)的形貌；步骤S4，然后在晶圆(1)表面沉积绝缘层(5)；步骤S5，在晶圆(1)表面绝缘层(5)上制作金属层(6)，在RDL线槽(3)中形成金属RDL；步骤S6，在晶圆(1)表面金属层(6)上面沉积保护层(7)；步骤S7，对晶圆(1)表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点(201)上方的保护层(7)、金属层(6)和绝缘层(5)；保留晶圆(1)表面TSV区域以外部分的绝缘层(5)；步骤S8，对晶圆(1)表面TSV区域剩余的阻挡层凸点(201)材料进行移除，露出晶圆材质；步骤S9，对晶圆(1)表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔(101)；步骤S10，对晶圆(1)背面进行减薄工艺，使得盲孔(101)底部打开，形成TSV通孔(102)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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